05.01.2024 05:00
    Поделиться

    К проекту СКИФ присоединились ученые из Белоруссии и Индии

    Реализация проекта Сибирского кольцевого источника фотонов (СКИФ), строящегося в наукограде Кольцово (Новосибирская область) перевалила за половину. Об этом сообщил на традиционной предновогодней пресс-конференции директор Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН Павел Логачев. Напомним, что ИЯФ СО РАН является единственным исполнителем по изготовлению и запуску оборудования для Центра коллективного использования "СКИФ" - источника синхротронного излучения поколения "4+" с энергией 3 ГэВ.
    В цехах ИЯФа изготовлено уже более 60 процентов оборудования для СКИФа
    В цехах ИЯФа изготовлено уже более 60 процентов оборудования для СКИФа / Александр Кряжев/ РИА Новости

    По словам академика РАН Павла Логачева, сделано уже "более 60 процентов машины". В 2024 году будет изготовлено все необходимое оборудование и, как только строительство завершится, начнутся монтажные и пуско-наладочные работы.

    Проект класса мегасайенс СКИФ задумывался как международный, но после начала его реализации западные партнеры отказались от участия. Сейчас на их место приходят ученые из дружественных стран.

    Недавно в ходе визита делегации Новосибирской области в Республики Беларусь были подписаны соглашение и меморандум о научно-техническом сотрудничестве ЦКП "СКИФ" с государственными научными организациями братской республики. На источнике синхротронного излучения в Кольцово будет построена белорусская экспериментальная станция на поворотном магните.

    - Показательно, что первые международные соглашения "СКИФ" подписал именно с белорусскими коллегами, с которыми нас связывают давние профессиональные и дружеские отношения, - отметил директор ЦКП "СКИФ" Евгений Левичев.

    Как сообщил член-корреспондент РАН Евгений Левичев, ученые из Беларуси будут проводить исследования, направленные на получение новых перспективных материалов для микроэлектроники, создания электроемких аккумуляторов и других задач.

    Проявляют интерес к проекту СКИФ и ученые из других дружественных стран. В начале 2024 года пройдет совместное совещание новосибирских физиков с коллегами из Университета Гоа (Индия). В планах также сотрудничество с китайскими учеными.

    Но разумеется, хотя СКИФ и самый масштабный проект для ИЯФ СО РАН, но далеко не единственный. Одним из достижений новосибирских физиков в минувшем году стало создание системы электронного охлаждения тяжелых ионов для коллайдера NICA, строящегося в Объединенном институте ядерных исследований (Дубна). Подобное оборудование сделано впервые в России, получены рекордные характеристики.

    Евгений Левичев: В начале 2024 года мы проведем совместное совещание с коллегами из Университета Гоа, в планах также сотрудничество с китайскими учеными. Фото: Александр Кряжев / РИА Новости

    - Метод электронного охлаждения позволяет в тысячи раз уменьшить фазовые объемы охлаждаемых пучков. Для этого холодные электроны направляются магнитным полем из электронной пушки в кольцо ускорителя, в случае эксперимента в Дубне, это сверхпроводящий бустерный синхротрон. Здесь они соединяются с горячими ионами, некоторое время движутся по кольцу вместе и за счет столкновений охлаждают ионы. Плотность энергии у таких пучков существенно выше, чем у неохлажденных. За счет этого можно накапливать в десятки раз больше частиц. Электронные системы охлаждения открыли настолько широкие перспективы, что в настоящее время ионные накопители без них практически не используются, - пояснил замдиректора ИЯФ СО РАН по научной работе Евгений Левичев.

    Кроме того, Институт ядерной физики СО РАН подключился к решению проблем отечественной микроэлектроники. Об этом рассказал директор ИЯФ СО РАН Павел Логачев. В течение трех лет ученые запустят технологический накопительный комплекс и создадут опытный образец ионного ускорителя для создания микросхем в Зеленограде (административный округ Москвы).

    Также сотрудники ИЯФ СО РАН совместно с коллегами из Центрального НИИ точного машиностроения в Зеленограде приступили к созданию промышленного ускорителя ионов для отечественного имплантора, который с помощью пучков ионов вводит необходимые химические элементы в пластину полупроводника на нужную глубину для созданий микросхем.

    Поделиться