Поделиться
По словам разработчиков, до недавнего времени процесс производства микросхем RRAM был чрезвычайно сложным из-за того, что требовал высоких температур. Кроме того, управление самими модулями хранения информации должно было осуществляться при помощи тока высокого напряжения, что приводило к малому сроку жизни микросхем.
Техасские исследователи утверждают, что им удалось решить обе проблемы - созданный ими техпроцесс предусматривает работу в условиях комнатной температуры, а запись и перезапись ячеек памяти не требует высокого напряжения. Для этого разработчики использовали пористый диоксид кремния в качестве диэлектрика.
Новая технология создания чипов также предусматривает чрезвычайно простое создание множества слоев с ячейками для хранения данных, что позволяет многократно увеличить плотность записи информации.
Память RRAM в течение нескольких лет вытеснит существующие сегодня модули флеш-памяти, которые активно используются в смартфонах, планшетах и другой мобильной электронике, уверены разработчики. В настоящее время уже существует прототип накопителя размером с почтовую марку, способный хранить до терабайта информации. Плотность записи данных в нем примерно в 50 раз превышает аналогичный показатель для обычной флеш-памяти.
Когда именно стартует коммерческий выпуск памяти RRAM, пока неизвестно.