Во время посещения 30 января научно-технического комплекса "Планар", который работает в сфере микроэлектронной промышленности, информирует БЕЛТА, главе государства доложили об итогах работы холдинга и задачах на ближайшие пять лет.
В настоящее время на "Планаре" реализуется ряд инвестиционных проектов по расширению и развитию производства. А в пятницу на предприятии проходит церемония запуска Центра специального технологического оборудования для производства фотошаблонов и микрооптики с участием Президента РБ.
Эксперты пояснили, что фотошаблон - это высокоточный трафарет с рисунком будущей микросхемы или печатной платы, используемый в фотолитографии для переноса изображения на подложку. Проще говоря, без фотошаблона невозможно сделать ни одну микросхему.
Как ранее сообщал "СОЮЗ", в предыдущий раз Лукашенко посещал "Планар" почти три года назад. Тогда на базе предприятия прошло совещание о перспективах развития микроэлектроники. Тем более что именно здесь в 60-х годах прошлого века и были созданы мозг и сердце микроэлектроники единой страны.
Кстати, запускаемый сегодня центр - единственный на территории стран бывшего СНГ. Он позволяет изготавливать изделия технологического уровня 90 нм, критически необходимые для создания передовых образцов оборудования электронного машиностроения. Кроме того, он служит и полигоном для отработки новых версий программного обеспечения, разрабатываемого на предприятии.
При этом линейка оборудования для бездефектного изготовления фотошаблонов, размещенная в центре, является уникальной, так как ни одно государство в мире не обладает компетенциями по разработке и изготовлению всей номенклатуры лазерного оборудования электронного машиностроения, необходимой для организации технологического процесса производства фотошаблонов.
Все проектные и строительно-монтажные работы были выполнены в максимально сжатые сроки, за счет чего удалось завершить создание центра на два года раньше планируемого срока, с удовлетворением отмечают в холдинге. Следует добавить, что компетенциями по разработке и созданию подобного оборудования обладают лишь несколько стран в мире, включая США и Японию.
А с учетом перспектив развития у центра имеется потенциал для последующего перехода к более низким проектным нормам - 65 нм, для чего планируется дооснастить производство.