Российские ученые создают оборудование для производства современной микроэлектроники

28.12.2023 / 09:23
Директор Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН Павел Логачев на III КМУ-2023.
Директор Института ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН Павел Логачев на III КМУ-2023. / Рамиль Ситдиков / Конгресс молодых ученых
Российские физики за три года создадут в Зеленограде оборудование для разработки отечественной технологической цепочки производства микроэлектроники. Об этом рассказал ТАСС со ссылкой на директора Института ядерной физики им. Г. И. Будкера (ИЯФ) СО РАН Павла Логачева.

"Мы ставим задачу создать все необходимые средства разработки, подставить плечо нашим электронным компаниям, государственным институтам для того, чтобы сделать полностью отечественное оборудование для микроэлектроники", - сказал Логачев. Конкретно речь идет о создании технологического накопительного комплекса и опытном образце ионного ускорителя для создания микросхем.

Директор института пояснил, что накопительный комплекс будет основным инструментом для создания, испытания литографов для печати микросхем. "Это очень сложные и дорогие устройства, которые делает фактически одна компания в мире. Это машина, которая может участвовать в производстве, но она делается не для производства, делается для разработки литографов. Такие машины есть в мире, и они должны быть в России", - сказал он.

Физикам не придется создавать накопительный комплекс с нуля. В 1990-1991 годах в Зеленограде ИЯФ СО РАН создал комплекс, но он не был запущен в связи с распадом Советского Союза. За три года ученые восстановят и запустят установку. Работа ведется по заказу Курчатовского института. Создание ТНК с нуля стоило бы на сегодняшний день порядка 10 млрд рублей, на восстановление потребуется полмиллиарда рублей.

Также сотрудники ИЯФ СО РАН совместно с учеными Центрального научно-исследовательского института точного машиностроения в Зеленограде приступили к созданию промышленного ускорителя ионов для отечественного имплантора, который с помощью пучков ионов вводит необходимые химические элементы в пластину полупроводника на нужную глубину для созданий микросхем.Опытный образец установки будет изготовлен за три года.

Поделиться