Напомним, что впервые о создании кластера в Воронеже, который был колыбелью твердотельной электроники в СССР и сохранил отраслевой потенциал заговорили еще в 2010 году. Но де факто организовать его не удалось. Идея увязла в чиновничьих кабинетах, да и сами предприятия опасались кооперироваться в новом формате. Он казался им способом поглощения бизнеса. Около трех лет назад появилось альтернативное предложение - организовать в Воронеже центр технологических компетенций в сфере микроэлектроники. Но на федеральном уровне не была разработана нормативно-правовая база для его существования.
Теперь кластерная инициатива зашла на второй круг. Ее поддержал и вице-премьер, и воронежский губернатор Александр Гусев, пояснивший, что в рамках объединения предприятия смогут подавать консолидированные заявки на получение господдержки и получать дополнительные преференции, недоступные для отдельных производств.
В НИИЭТ уже создали рабочую группу и предварительно заручились согласием ведущих игроков рынка в Воронеже. Среди них заводы "ВЗПП-Микрон" и "ВЗПП-С", Конструкторско-технологический центр "Электроника", Специализированное конструкторско-технологическое бюро электронных систем и компания "Модуль-В".
- Что нужно для образования кластера? Нужно минимум пять предприятий, связанных договорами о взаимодействии, и минимум три продукта, которые они будут совместно производить. В качестве вариантов продукта рассматриваем гетерогенную интеграцию (объединение отдельных кристаллов в одном корпусе. - прим. "РГ"), системы на кристалле и системы в корпусе, которые можно сделать из продукции воронежских предприятий на сборочных мощностях НИИ электронной техники. Есть вариант корпусирования микросхем - этим в Воронеже занимаются три предприятия. Мы, в частности, с привлечением заемных средств Фонда развития промышленности создаем сборочный цех по корпусированию изделий в пластик, - рассказал "РГ" генеральный директор АО "НИИЭТ" Павел Куцько. - По-хорошему, на оформление всех документов для кластера хватит и месяца. Ждем совещания в правительстве области, которое уже ведет работу в этом направлении.
До недавнего времени финансирование разработок в микроэлектронике традиционно имело "оборонную" направленность. В сфере массовой гражданской продукции отставание настолько велико, что преодолеть его в ближайшей перспективе не представляется возможным. В России производятся чипы с топологией минимум 90 нм, за рубежом уже экспериментируют с 2-3 нм.
- Безусловно, можно какое-то время продолжать работать на старом фундаменте. Многие так и делают: ведь изделия сегодня востребованы, объемы их производства выросли в десятки раз. Но надо смотреть в будущее, чтобы потом не говорить, что мы отстали от мирового рынка на десятилетия. Как пример - развивать нитрид-галлиевые технологии, своевременно включаясь в процесс, который только набирает обороты во всем мире. В Воронеже есть возможность в течение трех лет организовать постростовое производство по GaN. У нас для этого есть 1200 квадратных метров чистых помещений, которые загружены лишь наполовину. Для начала нужно закупить дополнительное оборудование. Благо оно не санкционное - делается в России, Белоруссии и Китае. Это оборудование позволяет добиваться результатов, соответствующих международному технологическому уровню, - подчеркнул Павел Куцько.
Бизнесу, однако, необходимо понимать, каковы будут источники, возможности и объемы финансирования проектов по нитриду галлия. В Воронежской области для их поддержки впервые использовали грант из регионального бюджета. Сто миллионов рублей получит классический университет - ВГУ - на создание профильной лаборатории, которая позволит отрабатывать перспективные технологические операции, вести целевую подготовку и переподготовку кадров для предприятий микроэлектроники. Индустриальный партнер проекта - все тот же НИИЭТ - вложит 12 миллионов в подготовку чистых производственных помещений для установки оборудования. Исследования, которые планируют вести при ВГУ, позволят продвинуть вперед разработку отечественной элементной базы, в том числе для продукции гражданского назначения.
- К сожалению, на данном этапе потенциальные потребители не могут назвать конкретную номенклатуру и объемы изделий, выполненных по технологии GaN, которые они готовы закупать. Нитрид галлия по сравнению с кремнием дает значительное уменьшение статических потерь, увеличение рабочих частот (до сотен МГц) и высокую скорость переключение, обеспечение больших выходных токов без потери эффективности, увеличение КПД, что позволит уменьшить габаритные размеры конечной аппаратуры без потери рабочих параметров. Но инерция производителей радиоэлектронной аппаратуры велика, и она будет в числе прочего определять развитие отрасли в России. Вычислить срок окупаемости проектов по нитриду галлия сегодня невозможно. И тем не менее есть уверенность, что будущее именно за ними, - добавил Куцько.